北米の4インチ半絶縁シリコンカーバイトウェーハ市場規模、シェア、2032年までの動向

市場概要

4インチ半絶縁性炭化ケイ素ウェハー市場は、2032年までに0.17435億ドルの成長が予測され、予測期間（2023年～2032年）のCAGRは12.30%を示す。

主要プレイヤー

• ウルフスピード
• SKシルトロン
• 昭和電工
• ノルステル
• SiCrystal
• タンケブルー
• SICC
• II-VIアドバンストマテリアルズ
• 河北シンライトクリスタル

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競争ダイナミクス

4インチ半絶縁性炭化ケイ素ウェハー市場の主要企業は、研究開発事業への投資によって市場需要を拡大しようとしており、ウルフスピード、SKシルトロン、昭和電工、ノルステル、SiCrystal、TankeBlue、SICC、II-VI Advanced Materials、Hebei Synlight Crystalなどがある。

市場ダイナミクス

パワーエレクトロニクスと半導体におけるSiCウェーハの使用が市場を押し上げると予想される。電気通信業界が5Gネットワークを構築するのに伴い、同製品の需要が高まっている。電気自動車のR & Dを後押しする主要企業の戦略的合意もパワー半導体の需要を押し上げている。半絶縁性のSiCウェーハは、完全な導電性のものよりも電気伝導率が低い。熱伝導率が高いため、SiCは高温で動作するパワー・デバイスに有用である。高い屈折率と透明性は、半絶縁性炭化ケイ素（SiC）ウェハー市場の成長を減速させる可能性のある表面欠陥の発見を難しくする。

電気自動車や第5世代通信機器はSiCウェーハを使用しており、需要が増加している。需要の増加により、企業は最先端の製造設備に多額の投資を行っている。SiCは多結晶構造で熱力学的特性が高いため、製造が難しく高価である。大企業は斬新な製品を発表するため、R & Dに多額の投資を行っている。半絶縁性SiCウェハは信号干渉を低減し、デバイス性能を向上させるため、アンプやトランジスタを含む無線周波数（RF）コンポーネントの製造に不可欠である。5Gネットワークの導入と通信技術の進歩は、SiCウェーハの需要を押し上げている。

炭化ケイ素は希少であるため、高品質の原料は乏しく、SiCウエハー市場の成長を制限している。SiCは硬いため、加工や製造が難しい。硬いだけでなく、SiCは脆いため、製造中に割れたり壊れたりする危険性が高く、SiCベースのコンポーネントの歩留まりと信頼性が低下し、市場の成長が鈍化する。

COVID-19は半絶縁性SiCウェハー市場に大きな影響を与えた。世界的な景気後退と製造の停止により、重要な部品の納品が遅れ、売上が減少し、発生時に巨額の損失を出した。R & Dと政府のイニシアチブも産業成長を後押しする可能性がある。

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セグメント別分析

北米の4インチ半絶縁性炭化ケイ素ウェハ市場は、タイプ別に分けると、抵抗率≥ 1×10?Ω・cmと抵抗率≥ 1×10¹Ω・cmがあります。

北米の4インチ半絶縁シリコンカーバイトウェーハ市場は用途別に分けると、パワーデバイス、エレクトロニクスなどがあります。

地域概要

北米は、Wolfspeed Inc.、II-VI Incorporatedなどの注目すべき企業の存在により、大きな成長が見込まれている。同地域では、電気自動車にSiCウェーハが使用されており、市場成長を後押ししている。スマートフォンやノートパソコンなどの民生用電子機器に対するニーズの拡大が、この地域の半導体産業を牽引しており、その結果、半絶縁性炭化ケイ素ウェーハの需要が増加している。さらに、北米では近代的な製造施設と確立されたサプライチェーンが利用可能なため、半絶縁性炭化ケイ素ウェハー市場の拡大を後押ししており、予測期間中も拡大が続くと予想される。

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